محصولات مرتبط
مشخصات فنی:
وزن:50 گرم
فرم فاکتور :2.5 اینچ
نوع فلش :Samsung V-NAND
ظرفیت : 1 ترابایت
نوع رابط : SATA 6 Gb/s
سرعت خواندن اطلاعات ترتیبی : 560 مگابایت بر ثانیه
سرعت نوشتن اطلاعات ترتیبی : 530 مگابایت بر ثانیه
مقاومت در برابر ضربه
مقاومت در برابر لرزش
مقاومت در برابر شوک
میزان مقاومت شوک : 1,500 G & 0.5 ms Half sine
میانگین عمر - MTBF:
1.500.000 ساعت
قابلیت پشتیبانی از TRIM : مزایا و معایب
تکنولوژی V-NAND
مدیریت بهینه انرژی
سیستم حفاظت دمایی
پایداری بالا و طول عمر تضمین شده
سرعت خواندن و نوشتن خارق العاده
تکنولوژی انحصاری و یکپارچه سامسونگ
برقراری امنیت بالا با استفاده از رمزگذاری پیشرفته 256 بیتی AES
دیدگاه خود را بنویسید