محصولات مرتبط
مشخصات فنی :
وزن
۱۰ گرم
سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی
Up to ۱,۴۰۰,۰۰۰ IOPS
کنترل کننده
Samsung V-NAND ۳-bit MLC
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی
Up to ۱,۵۵۰,۰۰۰ IOPS
نوع رابط حافظه
PCIe Gen ۴.۰ x۴, NVMe ۲.۰
ظرفیت
دو ترابایت
حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک
۱۵۰۰g , ۰.۵ms
میانگین عمر
۱.۵ میلیون ساعت
نوع فلش
MLC
قابلیت‌های حافظه
پشتیبانی از TRIM
سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی
Up to ۶,۹۰۰ MB/s
سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی
Up to ۷,۴۵۰ MB/s
مصرف برق
Average ۵.۵ W Maximum ۸.۵ W (Burst mode)
رابط‌ها
PCI-Express ۴.۰ x۴
قابلیت پشتیبانی از سیستم عامل‌های
Client PCs, Game Consoles
دیدگاه خود را بنویسید